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              首頁 - 存儲 - 我國首批完全自主知識產權32層三維NAND閃存芯片年內量產
          點擊:922        時間:2018-04-25 08:17:08

            長江存儲科技公司透露,我國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量產——

            芯片被譽為高端制造業的“皇冠明珠”,是一個國家制造業和科技實力的象征。然而,多年來受制于技術、投入以及相關體制機制等因素,我國芯片產業發展速度較慢,主要產品依賴進口。

            如今,這一尷尬局面有望被徹底打破。4月11日,國家存儲器基地項目首套芯片生產機臺進場安裝,標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入生產準備階段。同時,我國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量產,將填補我國主流存儲器領域空白。

            作為“工業的糧食”,芯片是小到手機、電腦,大到人工智能、大數據、網絡安全等產業的核心基礎。目前,中國已經成為世界上最大的芯片消費國,但其中90%的產品均來自國外廠商。

            針對這一問題,2016年3月份,紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北科投在武漢東湖高新區共同投資建設國家存儲器基地項目。4個月后,長江存儲科技公司成立,并成為該項目的實施主體。根據計劃,該項目總投資額為240億美元,占地面積1968畝,將建設3座全球單座潔凈面積最大的三維NAND Flash生產廠房。項目核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元,項目一期總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元。

            “國家存儲器基地項目堪稱中國集成電路閃存芯片產業規?;l展零的突破,也是打破西方國家壟斷的重要抓手。在未來10年左右的時間里,紫光集團將至少投資1000億美元推進相關產業發展?!弊瞎饧瘓F董事長兼長江存儲董事長趙偉國在接受經濟日報記者采訪時表示。

            “一方面,我國在核心技術和產品結構上仍然與世界一流水平存在差距,實現追趕超越的目標絕非一朝一夕,需要堅定的戰略定力以及長期保持高投入的耐力與底氣;另一方面,未來5年至10年是中國集成電路產業發展的最佳窗口期,既然選擇了存儲芯片作為切入點和突破口,紫光集團和長江存儲就一定要抓住機遇,直面挑戰,知難而上,通過超常規的投入縮短發展周期,迅速登上全球存儲行業的競爭舞臺?!壁w偉國說。

            專家告訴記者,長江存儲的起點“不僅不低,而且很高”,一個典型的佐證就是,項目一投產就將生產3D NAND閃存。這種閃存一改過去平面閃存的架構,實現了三維立體堆疊,“其中的區別就相當于從平房到樓房的跨越”。

            “業界普遍認為,3D NAND閃存是中國存儲芯片制造業‘彎道超車’的最佳機會?!壁w偉國告訴記者,去年國家存儲器基地成功研發中國首顆32層三維NAND閃存芯片,這是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片,在填補中國企業芯片領域空白上邁出了重要一步。4月9日,該芯片獲得中國電子信息博覽會金獎。

            長江存儲執行董事長高啟全透露,未來幾個月內,近3000套生產機臺將陸續進場安裝調試,預計7月底或8月初具備試生產條件,年內將可產出5000片32層三維NAND閃存芯片;2019年,32層三維NAND閃存芯片產量將提升至每年10萬片,當年年底試產64層三維NAND閃存芯片;2020年,64層三維NAND閃存芯片產能將提升至每年10萬片,并研發具有全球先進水平的128層三維NAND閃存芯片。

            國務院公布的《促進中部地區崛起“十三五”規劃》明確提出,“支持武漢、合肥建設存儲器產業基地”。目前,湖北省和武漢市正在舉全省、全市之力,將這一項目打造成轉型跨越發展的千億元高科技產業項目。武漢市有關負責人告訴記者,在加快實現存儲器芯片量產的同時,武漢東湖高新區將加大設計、設備、材料、封測、存儲控制等企業招商引資力度,打造“芯片—顯示—終端”全產業鏈,盡快形成萬億級產業集群。(來源:中國經濟網)

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