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              首頁 - 存儲 - 國家存儲器基地加速建設
          點擊:1001        時間:2018-08-15 09:52:39

            中新社武漢8月4日電 (記者 張芹)4日,在位于武漢東湖高新區的長江存儲科技有限責任公司(國家存儲器基地),紫光集團聯席總裁刁石京透露,中國首批擁有自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實現量產。

            據悉,長江存儲于2017年成功研發中國首顆32層三維NAND閃存芯片,并獲得中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。

            這顆芯片,耗資10億美元,由1000人團隊歷時2年自主研發,是中國主流芯片中研發制造水平最接近世界一流的高端存儲芯片,實現了中國存儲芯片“零”的突破。

            刁石京介紹,目前,芯片生產設備正在進行安裝調試,今年第四季度,32層三維閃存芯片將在一號芯片生產廠房進行量產。此外,64層三維閃存芯片研發也在緊鑼密鼓地進行,計劃2019年實現量產。

            刁石京表示,中國芯片技術落后于世界,但自主研發的腳步始終沒有停止,兩代芯片實現量產后將縮短與美國、日本、韓國等國家在存儲芯片上的差距。

            據悉,長江存儲由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北省科技投資集團共同投資建設,負責國家存儲器基地項目。

            根據規劃,至2023年,基地產能將達到每月30萬片,并形成設計、測試、封裝、制造、應用等上下游集群。

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