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              首頁 - 存儲 - 國家存儲器基地三維閃存取得新突破
          點擊:785        時間:2019-01-10 09:36:21

            1月2日,正在建設中的國家存儲器基地雛形初現。位于武漢光谷的該基地繼成功研發中國首顆32層三維閃存芯片后,另一項技術取得新突破,為三維閃存帶來前所未有的I/O高性能、更高的存儲密度,以及更短的產品上市周期。國家存儲器基地以芯片制造環節為突破口,集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售于一體,全部建成后將填補我國主流存儲器領域空白,為實現產業和經濟跨越發展提供重要支撐。(來源:央廣網)

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